图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPB(I,P)25N06S3L-22 |
| 文档 |
Multiple Devices 22/Jul/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 55V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 25A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 21.6 mOhm @ 17A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 20µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 47nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2260pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
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